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- 型号： CBR02C709D3GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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CBR02C709D3GAC产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C709D3GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供CBR02C709D3GAC价格参考以及KemetCBR02C709D3GAC封装/规格参数等产品信息。 你可以下载CBR02C709D3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书， 资料中有CBR02C709D3GAC详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR02C709D3GAC 是一款由村田（Murata）生产的陶瓷电容器（品牌“-”通常指代无标或默认品牌，但该型号实为Murata标准产品），属于X7R介质、0201封装（0.6×0.3 mm）、额定电压25 V、容值7.0 pF ±0.5 pF（代码“709”表示7.0×10⁹ pF = 7.0 pF，“D”表示±0.5 pF精度，“3G”对应25 V，“AC”为包装/端接代码）。 其主要应用场景包括： 1. 高频滤波与去耦：用于射频前端模块（如Wi-Fi 6/6E、蓝牙5.x）中LNA、PA或VCO旁路，抑制GHz频段噪声； 2. 阻抗匹配网络：在5G毫米波天线调谐电路或RF收发器匹配电路中，利用其高精度、低ESL特性实现精细容值补偿； 3. 高速数字接口旁路：为MIPI D-PHY/LVDS等接口的电源引脚提供局部高频退耦，保障信号完整性； 4. 微型化便携设备：得益于0201超小尺寸，广泛应用于TWS耳机、智能手表、可穿戴医疗传感器等对空间和重量敏感的终端。 需注意：该器件温度特性为X7R（-55℃～+125℃，ΔC/C ≤ ±15%），不适用于要求极高温稳性的振荡电路；且7.0 pF小容值决定了其仅适用于GHz级高频场景，不可替代中低频储能电容。使用时建议遵循Murata推荐焊盘设计及回流焊曲线，避免微裂纹失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | CAP CER 7PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | 点击此处下载产品Datasheethttp://capacitoredge.kemet.com/capedge2/DataSheet?pn=CBR02C709D3GAC |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C709D3GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 其它名称 | 399-8617-6 |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.5pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 1 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/hiqcbr-series/50483 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 7.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
