Datasheet下载- 型号： APT40DQ100BG
- 制造商： American Microsemiconductor, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供APT40DQ100BG由American Microsemiconductor, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 APT40DQ100BG价格参考。American Microsemiconductor, Inc.APT40DQ100BG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载APT40DQ100BG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有APT40DQ100BG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Microsemi Corporation（现为Microchip Technology的一部分）生产的二极管型号APT40DQ100BG属于“二极管 - 整流器 - 单”类别，主要用于电力电子领域的整流和保护功能。以下是该型号的应用场景： 1. 电源转换 - APT40DQ100BG广泛应用于AC-DC或DC-DC电源转换电路中，作为高效整流器使用。其高电压耐受能力和低正向压降特性使其适合在开关电源（SMPS）、适配器和充电器中工作。 2. 电机驱动 - 在电机驱动电路中，该二极管可用于整流和续流保护。例如，在无刷直流电机（BLDC）或步进电机的驱动电路中，它可以防止反电动势对电路造成损害。 3. 太阳能逆变器 - 在光伏系统中，APT40DQ100BG可以用于最大功率点跟踪（MPPT）控制器或逆变器中的整流部分，确保高效的能量转换。 4. 工业自动化 - 该二极管适用于工业自动化设备中的电源模块和保护电路，例如PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器和变频器等。 5. 汽车电子 - 在汽车电子领域，APT40DQ100BG可用于车载充电器、DC-DC转换器以及发电机整流桥中，提供可靠的整流性能。 6. 通信设备 - 在通信基站、路由器和其他网络设备中，该二极管可用作整流器或保护元件，确保电源系统的稳定运行。 7. 家电产品 - 在家用电器（如空调、冰箱、洗衣机等）中，APT40DQ100BG可用于压缩机驱动、风扇控制和其他需要整流功能的电路中。 特性优势： - 高耐压能力：支持高达100V的工作电压，适合高压环境。 - 大电流承载能力：额定电流为40A，能够满足高功率应用需求。 - 低正向压降：减少功率损耗，提高效率。 - 快速恢复时间：适合高频开关应用。 综上所述，APT40DQ100BG是一款高性能的整流二极管，适用于多种需要高效整流和保护的电力电子应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ULT FAST 1KV 40A TO247 |
| 产品分类 | 单二极管/整流器 |
| 品牌 | Microsemi Power Products Group |
| 数据手册 | http://www.microsemi.com/document-portal/doc_download/6258-apt40dq100b-s-g-b-pdfhttp://www2.microsemi.com/document-portal/doc_download/14813-power-products-group-ppg-catalog |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | APT40DQ100BG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 3V @ 40A |
| 不同 Vr、F时的电容 | - |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100µA @ 1000V |
| 二极管类型 | 标准 |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24976 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-247 [B] |
| 其它名称 | APT40DQ100BGMI |
| 包装 | 管件 |
| 反向恢复时间(trr) | 250ns |
| 安装类型 | 通孔，径向 |
| 封装/外壳 | TO-247-2 |
| 工作温度-结 | -55°C ~ 175°C |
| 标准包装 | 30 |
| 热阻 | 0.61°C/W Jc |
| 电压-DC反向(Vr)（最大值） | 1000V（1kV） |
| 电流-平均整流(Io) | 40A |
| 速度 | 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA（Io） |
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