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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C709C9GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C709C9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C709C9GAC价格参考。KemetCBR02C709C9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C709C9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C709C9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C709C9GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为7.0 pF，容差±0.25 pF，额定电压16 V，采用0201（0.5 mm × 0.25 mm）超小型封装，介质为C0G/NP0（温度系数±30 ppm/℃，稳定性极佳）。 其典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G通信前端模块、Wi-Fi 6/6E射频匹配网络、蓝牙BLE收发器中的阻抗匹配与谐振调谐； - 高精度时钟与振荡电路：为晶体振荡器（XO）、VCO提供稳定负载电容，保障频率精度和相位噪声性能； - 高速数字接口旁路/去耦：在SerDes、USB 3.x、MIPI等高速信号链中，用于局部高频噪声抑制（尤其在1–6 GHz频段）； - 汽车电子系统：适用于ADAS摄像头模块、雷达RF前端、车载信息娱乐系统中的高频滤波与耦合，满足严苛的温度循环（–55°C 至 +125°C）与振动要求； - 医疗与工业传感器电路：在超声换能器驱动、高分辨率ADC参考去耦等对电容稳定性、低损耗（DF < 0.1%）和低寄生参数敏感的应用中表现优异。 该型号凭借C0G介质的卓越温度/电压/时间稳定性、超低ESL/ESR及AEC-Q200认证，特别适合对可靠性、高频性能和微型化有严苛要求的先进电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 7PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C709C9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 7.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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