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- 型号： CBR02C708B8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C708B8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C708B8GAC价格参考。KemetCBR02C708B8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C708B8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C708B8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C708B8GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为70 pF，额定电压16 V，容差±0.1 pF（B级），采用C0G/NP0温度特性介质，具有极低的容值漂移（±30 ppm/°C）、优异的频率稳定性和超低损耗（DF < 0.1%）。其0201（0.6 mm × 0.3 mm）微型封装适用于高密度PCB设计。 主要应用场景包括： 1. 高频射频电路：如5G基站前端、Wi-Fi 6/6E射频模块、蓝牙BLE收发器中的匹配网络、谐振回路与滤波器，利用其C0G材质在GHz频段仍保持稳定Q值； 2. 精密时钟与振荡电路：为晶体振荡器（XO）、VCO提供高稳定性负载电容或反馈电容，保障时序精度与时钟抖动性能； 3. 高速数字接口旁路：在SerDes、USB 3.2、PCIe Gen4+等接口的电源引脚附近作局部高频去耦，抑制1–6 GHz频段噪声； 4. 汽车电子系统：满足AEC-Q200要求，用于ADAS摄像头模组、车载信息娱乐系统（IVI）射频前端及激光雷达（LiDAR）接收链路等严苛环境。 该器件不适用于大电流滤波或高纹波场景，但凭借超小尺寸、零老化、无直流偏压效应等优势，在对精度、可靠性与高频性能要求严苛的微型化电子系统中具有不可替代性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.7PF 10V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C708B8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 0.70pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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