Datasheet下载- 型号： CBR02C689C3GAC
- 制造商： Kemet
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C689C3GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C689C3GAC价格参考。KemetCBR02C689C3GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C689C3GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C689C3GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C689C3GAC 是一款高性能X7R介质、0201封装（0.6×0.3 mm）、6.8 nF（689表示68×10⁹ pF）、±0.25 pF容差、额定电压25 V的多层陶瓷电容器（MLCC）。其超小尺寸与高精度容值，专为高频、高密度、低功耗场景优化。 典型应用场景包括： 1. 射频前端模块（RF Front-End）：用作智能手机、Wi-Fi 6/6E/7、蓝牙SoC中的旁路与耦合电容，支持2.4 GHz/5 GHz/6 GHz频段，抑制高频噪声并保障信号完整性； 2. 电源去耦：在微处理器、FPGA、ASIC等芯片的VDD/VSS引脚附近，为GHz级瞬态电流提供低感路径，降低电源轨纹波； 3. 高速接口滤波：适用于USB 3.x、MIPI D-PHY/C-PHY等高速数字接口的端接与EMI抑制； 4. 可穿戴与IoT设备：凭借0201超小尺寸和高可靠性，满足TWS耳机、智能手表等对空间与长期稳定性严苛要求的终端产品。 该型号通过AEC-Q200认证（部分批次），具备优异的温度稳定性（X7R：−55℃~+125℃，ΔC/C ≤ ±15%）及抗老化特性，适用于工业与汽车电子中对小型化与鲁棒性兼具的场合。注意：实际应用中需关注PCB焊盘设计、回流焊曲线及直流偏压导致的容值衰减（该型号在25 V偏压下容值下降约15–20%）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 6.8PF 25V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C689C3GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.25pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 25V |
| 电容 | 6.8pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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