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- 型号： CBR02C609D9GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C609D9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C609D9GAC价格参考。KemetCBR02C609D9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C609D9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C609D9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C609D9GAC 是一款高性能车规级多层陶瓷电容器（MLCC），属于CBR系列，符合AEC-Q200标准。其标称容量为6.0 pF，容差±0.5 pF（D），额定电压为100 V（9G），采用0201英寸（0603 mm）超小型封装，介质为C0G/NP0（温度特性极稳定，±30 ppm/℃，Class I），具有超低损耗（tanδ < 0.001）、优异的频率响应和长期稳定性。 典型应用场景包括： - 高频射频电路：如5G基站前端模块、Wi-Fi 6/6E射频匹配网络、毫米波收发器中的阻抗调谐与滤波； - 高精度定时与振荡电路：用于晶体振荡器（XO）、VCXO或RF PLL环路中的负载电容与相位补偿，依赖C0G材料的温度/电压/时间稳定性； - 汽车电子系统：车载雷达（77 GHz ADAS）、CAN FD接口滤波、LED驱动器高频旁路，满足严苛的温度范围（–55°C 至 +125°C）与振动可靠性要求； - 医疗与测试设备：高频超声成像前端、精密ADC/DAC参考电路去耦，避免介质非线性引入失真。 该器件不适用于大电流滤波或高脉冲能量场景（因其小尺寸限制IRMS），但凭借超低寄生参数（ESL/ESR）和卓越的高频性能，在对稳定性、精度与空间受限要求极高的高端模拟/射频应用中表现突出。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 6PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C609D9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.5pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 6.0pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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