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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C408B9GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C408B9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C408B9GAC价格参考。KemetCBR02C408B9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C408B9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C408B9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C408B9GAC 是一款高性能X7R介质、0201封装（0.6×0.3 mm）、40 pF ±0.1 pF容差、50 V额定电压的多层陶瓷电容器（MLCC）。其高精度、低损耗（DF < 2.5%）及优异的温度稳定性（X7R：±15% over –55°C to +125°C），使其特别适用于对容值稳定性与高频性能要求严苛的场景。 典型应用场景包括： 1. 射频前端匹配网络：在5G智能手机、Wi-Fi 6/6E模块中，用于PA输出匹配、天线调谐和滤波器微调； 2. 高速数字电路去耦：为GHz级时钟发生器、SerDes收发器或FPGA核心供电提供局部高频旁路（100 MHz–3 GHz频段）； 3. 精密传感与模拟信号链：在医疗传感器、工业ADC参考电压旁路、PLL环路滤波中，利用其低介电吸收和高长期稳定性保障信号完整性； 4. 汽车电子：符合AEC-Q200（注：需确认具体批次认证），可用于ADAS摄像头模组、雷达RFIC电源去耦等严苛环境。 该器件采用无铅端子、兼容回流焊，适用于高密度PCB设计。注意：实际应用中需规避直流偏压导致的容值衰减，并遵循KEMET推荐的PCB焊盘布局以抑制寄生效应。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 0.4PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C408B9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.1pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 0.40pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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