Datasheet下载- 型号： CBR02C339A9GAC
- 制造商： Kemet
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C339A9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C339A9GAC价格参考。KemetCBR02C339A9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C339A9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C339A9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C339A9GAC 是一款高性能X7R介质、0201封装（0.6 mm × 0.3 mm）、33 pF ±0.05 pF（A容差）、额定电压100 V DC的多层陶瓷电容器（MLCC）。其高精度（±0.05 pF）、低损耗及优异的温度稳定性（X7R：±15% @ −55°C to +125°C），结合小尺寸与高可靠性，使其特别适用于对容值精度和高频性能要求严苛的射频（RF）与模拟电路。 典型应用场景包括： 1. 射频匹配网络：在5G射频前端、Wi-Fi 6/6E模块中用于阻抗匹配、谐振调谐，确保信号完整性； 2. 高频滤波与去耦：为GaAs/GaN功率放大器、低噪声放大器（LNA）提供精准旁路，抑制GHz频段噪声； 3. 高精度定时与振荡电路：如VCO（压控振荡器）、PLL环路滤波器中的微调电容，保障频率稳定性和相位噪声性能； 4. 医疗与测试设备：在超声成像前端、高速ADC/DAC参考电路中，满足低失真、高重复性需求。 该器件符合AEC-Q200（车载级）标准（依据KEMET官方规格书），亦可用于汽车ADAS雷达模块等高可靠性场景。注意：焊接需严格遵循无铅回流工艺（峰值温度≤260°C），避免机械应力导致微裂纹。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 3.3PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C339A9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 3.3pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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