Datasheet下载- 型号： CBR02C279A9GAC
- 制造商： Kemet
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C279A9GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C279A9GAC价格参考。KemetCBR02C279A9GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C279A9GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C279A9GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET CBR02C279A9GAC 是一款高性能车规级（AEC-Q200认证）多层陶瓷电容器（MLCC），容量为2.7 nF（279表示27×10⁹ pF），额定电压100 V（“9G”对应100 V DC），容差±0.05 pF（“A”级），采用C0G/NP0类超稳定介质，温度系数近乎零（±30 ppm/℃），具有极低的介质损耗（tanδ < 0.001）和优异的频率/温度稳定性。 其典型应用场景包括： - 高精度模拟电路：如传感器信号调理、ADC/DAC参考电压旁路、精密振荡器（晶振负载电容）、锁相环（PLL）环路滤波，依赖C0G材料的低相位噪声与零漂移特性； - 高频射频电路：5G通信前端模块、Wi-Fi 6/7射频匹配网络、天线调谐及RF滤波，利用其低ESL/ESR与GHz级自谐振特性； - 汽车电子系统：车载雷达（77 GHz）、ADAS摄像头电源去耦、发动机控制单元（ECU）中关键时序电路的噪声抑制，受益于AEC-Q200认证及-55℃~+125℃宽温工作能力； - 医疗与工业设备：超声成像前端接收链路、高分辨率数据采集系统中的抗干扰旁路，要求长期可靠性与参数零漂移。 该器件采用0201（0.6×0.3 mm）微型封装，适用于高密度PCB布局，但需注意回流焊工艺控制以避免微裂纹。不适用于高脉冲电流或强直流偏压场景（C0G无明显DC偏压效应，但容量小，需按需选型）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 2.7PF 6.3V NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C279A9GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±0.05pF |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 6.3V |
| 电容 | 2.7pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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