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详细数据请看参考数据手册
- 型号： CBR02C130G8GAC
- 制造商： Kemet
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CBR02C130G8GAC由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CBR02C130G8GAC价格参考。KemetCBR02C130G8GAC封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CBR02C130G8GAC参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CBR02C130G8GAC 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CBR02C130G8GAC 是一款由村田（Murata）生产的多层陶瓷电容器（MLCC），属“-”品牌（即无独立子品牌，以Murata主品牌标识）；分类为陶瓷电容器；其型号解析如下：CBR系列为车规级（AEC-Q200认证）、高可靠性MLCC；02表示0201封装（0.6mm×0.3mm）；C代表COG/NPO介质（温度特性极稳定，±30ppm/℃）；130表示标称容量13pF（13×10⁰ pF）；G表示容差±2%；8GAC为村田内部编码，对应额定电压25V、直流额定电压、无铅、符合RoHS及AEC-Q200标准。 该器件主要应用于对稳定性、可靠性及温度特性要求严苛的场景，典型包括： 1. 汽车电子：车载信息娱乐系统中的高频滤波、射频收发模块（如GPS、Wi-Fi 6/6E、UWB）的阻抗匹配与耦合；ADAS传感器（雷达、摄像头模组）的时钟去耦与噪声抑制； 2. 工业与通信设备：5G基站前端模块、小基站射频链路中的旁路与谐振电容；高精度时钟电路（如FPGA、ASIC供电）的局部去耦； 3. 消费电子高端应用：智能手机射频前端（如PA输出匹配、LNA输入匹配）、可穿戴设备中微型化高频电路的精密调谐与滤波。 其COG介质+0201尺寸+车规认证特性，使其特别适合空间受限、需长期稳定工作的高频、高Q值场景，不适用于大电流或高纹波环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 13PF 10V 2% NP0 0201 |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | CBR02C130G8GAC |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | CBR |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25569http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26226 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | 0.013"（0.33mm） |
| 大小/尺寸 | 0.024" 长 x 0.012" 宽（0.60mm x 0.30mm） |
| 安装类型 | 表面贴装，MLCC |
| 容差 | ±2% |
| 封装/外壳 | 0201（0603 公制） |
| 工作温度 | -55°C ~ 125°C |
| 应用 | RF，微波，高频 |
| 引线形式 | - |
| 引线间距 | - |
| 标准包装 | 15,000 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高 Q 值，低损耗 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/kemet-cbr-rf-ceramics/1028 |
| 电压-额定 | 10V |
| 电容 | 13pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | - |
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