Datasheet下载- 型号： C052H331J2G5GAT500
- 制造商： Kemet
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供C052H331J2G5GAT500由Kemet设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 C052H331J2G5GAT500价格参考。KemetC052H331J2G5GAT500封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载C052H331J2G5GAT500参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有C052H331J2G5GAT500 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
KEMET公司生产的C052H331J2G5GAT500是一款高可靠性、高温（200°C）、高压（200 VDC）的军用/航天级陶瓷电容器，属C0G/NP0温度特性（Ⅰ类），容量330 pF，容差±5%，采用径向引线封装（C052封装，即0.52英寸引线间距），符合MIL-PRF-55681标准，并通过AEC-Q200（汽车级）和MIL-STD-202/883测试。 其典型应用场景包括： 1. 航空与航天电子系统：用于飞行控制单元、发动机监控电路中的高稳定性定时、滤波及耦合，尤其适用于高温、高辐射、高振动环境； 2. 石油勘探设备（MWD/LWD）：在井下高温（>175°C）测量仪器中承担信号调理、ADC参考去耦及高频滤波； 3. 工业电机驱动与电源模块：在IGBT栅极驱动电路中提供低ESL/ESR的高频去耦，保障开关稳定性； 4. 高端医疗成像设备（如CT/X射线发生器）：用于高压脉冲整形、谐振电路及精密定时网络，依赖其C0G材料的零TC（温度系数）与低介电吸收特性； 5. 核能与军工装备：雷达发射模块、相控阵T/R组件中的高频旁路与阻抗匹配。 该器件不适用于消费类或普通商用场景，因其成本高、供货周期长，专为极端环境下的高精度、高可靠性需求而设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 电容器 |
| 描述 | CAP CER 330PF 200V 5% RADIAL |
| 产品分类 | 陶瓷电容器 |
| 品牌 | Kemet |
| 数据手册 | http://www.kemet.com/docfinder?Partnumber=C052H331J2G5GAT500 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | C052H331J2G5GAT500 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 其它名称 | 399-11649-2 |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 厚度（最大值） | - |
| 大小/尺寸 | 0.190" 长 x 0.090" 宽（4.83mm x 2.28mm） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | 径向 |
| 工作温度 | -55°C ~ 200°C |
| 应用 | 通用 |
| 引线形式 | 成型引线 |
| 引线间距 | 0.200"（5.08mm） |
| 标准包装 | 500 |
| 温度系数 | C0G，NP0 |
| 特性 | 高温 |
| 电压-额定 | 200V |
| 电容 | 330pF |
| 等级 | - |
| 高度-安装（最大值） | 0.250"（6.35mm） |
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