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  • 型号: BZX84J-B6V8,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84J-B6V8,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84J-B6V8,115价格参考。NXP SemiconductorsBZX84J-B6V8,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84J-B6V8,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84J-B6V8,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZX84J-B6V8,115 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这种器件的主要功能是通过其反向击穿特性来稳定电压或提供参考电压。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 电压稳压
   - BZX84J-B6V8,115 的齐纳电压为 6.8V(标称值),可以用于简单的电压稳压电路。例如,在电源电路中,它可以将输出电压限制在 6.8V 左右,保护后级电路免受过高电压的影响。

 2. 过压保护
   - 在信号线路或电源输入端,这款齐纳二极管可以用作过压保护元件。当输入电压超过 6.8V 时,齐纳二极管导通,将多余的电压泄放到地,从而保护敏感的下游设备。

 3. 参考电压源
   - 在需要精确电压参考的应用中,如比较器电路、ADC/DAC 电路或基准电源设计中,BZX84J-B6V8,115 可以提供稳定的 6.8V 参考电压。

 4. 限幅电路
   - 在音频或射频电路中,齐纳二极管可用于限幅,防止信号幅度超出允许范围。例如,在信号放大器的输入端,它可以防止输入信号过大而导致失真。

 5. ESD(静电放电)保护
   - 齐纳二极管可以用来吸收瞬态高压脉冲,例如由静电放电引起的尖峰电压。这有助于提高系统的抗干扰能力。

 6. 电池充电保护
   - 在低功率电池充电电路中,BZX84J-B6V8,115 可以用作电压监测元件,确保电池不会被过度充电。当电池电压达到 6.8V 时,齐纳二极管导通,停止充电过程。

 7. 模拟电路中的线性化
   - 在某些模拟电路中,齐纳二极管可以用作非线性补偿元件,改善电路的性能。例如,在放大器或振荡器中,它可以调整工作点以获得更好的线性度。

 注意事项:
- 使用时需注意齐纳二极管的最大功耗(通常为几十毫瓦到几百毫瓦),以免因过热导致损坏。
- 齐纳电压的精度和温度系数会影响电路性能,因此在高精度应用中需选择合适的规格。

总之,BZX84J-B6V8,115 是一款通用型齐纳二极管,适用于多种电子电路中的电压调节、保护和参考功能。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

DIODE ZENER 6.8V 550MW SOD323F稳压二极管 Diode Zener Single 6.8V 2% 550mW 2-Pin

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZX84J-B6V8,115-

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BZX84J-B6V8,115

不同If时的电压-正向(Vf)

1.1V @ 100mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

2µA @ 4V

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-323F

其它名称

934060976115
BZX84J-B6V8 T/R
BZX84J-B6V8 T/R-ND

功率-最大值

550mW

功率耗散

550 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±2%

封装

Reel

封装/外壳

SC-90,SOD-323F

封装/箱体

SC-90

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

2 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

15 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

6.8V

电压容差

2 %

电压温度系数

2.85 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

15 欧姆

齐纳电压

6.8 V

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