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产品简介:
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BZX84C4V7ET1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的SOT-23封装、标称稳压值为4.7V的齐纳二极管,具有±5%容差、最大功率耗散300mW、低动态阻抗(典型值约75Ω)和良好温度稳定性。 其典型应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器I/O端口提供稳定4.7V基准电压; 2. 过压保护(钳位):与TVS或限流电阻配合,将信号线(如I²C、UART)钳位在4.7V以内,防止后级IC(如MCU GPIO)因瞬态过压损坏; 3. 电源轨箝位/反馈:在LDO或DC-DC反馈网络中辅助设定输出电压,或用于简单线性稳压器的误差检测; 4. ESD防护辅助:作为二级保护器件,吸收小能量浪涌,提升接口鲁棒性; 5. 低成本替代方案:在对精度要求不苛刻、电流≤10mA的便携式设备(如TWS耳机、IoT传感器节点、遥控器)中替代更昂贵的基准IC。 注意:该器件适用于小电流(<20mA)、低频、非高精度场合;不建议用于大电流稳压或高精度基准应用。使用时需合理计算功耗并确保散热条件(SOT-23需PCB铜箔辅助散热)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZX84C4V7ET1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BZX84C4V7ET1GOS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |