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产品简介:
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BZX84C4V7ET1 是安森美(ON Semiconductor)推出的SOT-23封装、标称稳压值为4.7V的齐纳二极管,典型容差±5%,功率额定值为350mW。其主要应用场景包括: 1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器I/O口提供稳定4.7V基准电压;常用于分立式线性稳压器的反馈网络或LDO的外部基准。 2. 过压保护与钳位:并联于敏感器件(如MCU引脚、通信接口ESD防护电路)前,将瞬态电压钳位于≈4.7V,配合限流电阻实现简易ESD/浪涌防护(如RS-232、I²C总线端口保护)。 3. 电平转换与信号整形:在数字电路中用作逻辑电平箝位(如将5V信号安全适配至3.3V MCU输入),或构成简单削波电路,限制模拟信号幅值。 4. 电源监控与复位电路:配合RC网络构成上电复位(POR)电路,当电源上升至4.7V时触发复位释放,保障系统可靠启动。 该器件因体积小(SOT-23)、成本低、响应快且温度稳定性较好(TC ≈ ±2.5mV/°C),广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子(非安全关键模块)及物联网终端等对成本与空间敏感的嵌入式系统中。注意:不适用于大电流稳压或高精度基准场景,此时建议选用带隙基准IC。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZX84C4V7ET1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 2V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
| 其它名称 | BZX84C4V7ET1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 80 欧姆 |