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  • 型号: BZX84C4V7ET1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C4V7ET1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C4V7ET1价格参考。ON SemiconductorBZX84C4V7ET1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZX84C4V7ET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZX84C4V7ET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZX84C4V7ET1 是安森美(ON Semiconductor)推出的SOT-23封装、标称稳压值为4.7V的齐纳二极管,典型容差±5%,功率额定值为350mW。其主要应用场景包括:

1. 电压基准与稳压:在低功耗电路中为ADC参考源、传感器供电或微控制器I/O口提供稳定4.7V基准电压;常用于分立式线性稳压器的反馈网络或LDO的外部基准。

2. 过压保护与钳位:并联于敏感器件(如MCU引脚、通信接口ESD防护电路)前,将瞬态电压钳位于≈4.7V,配合限流电阻实现简易ESD/浪涌防护(如RS-232、I²C总线端口保护)。

3. 电平转换与信号整形:在数字电路中用作逻辑电平箝位(如将5V信号安全适配至3.3V MCU输入),或构成简单削波电路,限制模拟信号幅值。

4. 电源监控与复位电路:配合RC网络构成上电复位(POR)电路,当电源上升至4.7V时触发复位释放,保障系统可靠启动。

该器件因体积小(SOT-23)、成本低、响应快且温度稳定性较好(TC ≈ ±2.5mV/°C),广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子(非安全关键模块)及物联网终端等对成本与空间敏感的嵌入式系统中。注意:不适用于大电流稳压或高精度基准场景,此时建议选用带隙基准IC。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 4.7V 225MW SOT23-3

产品分类

单二极管/齐纳

品牌

ON Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

BZX84C4V7ET1

PCN过时产品

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rohs

含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

3µA @ 2V

供应商器件封装

SOT-23-3(TO-236)

其它名称

BZX84C4V7ET1OS

功率-最大值

225mW

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

容差

±6%

封装/外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

工作温度

-55°C ~ 150°C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

4.7V

阻抗(最大值)(Zzt)

80 欧姆

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