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产品简介:
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BZX84C43LT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单齐纳二极管,其额定齐纳电压为 43V。这款器件广泛应用于需要稳压、限幅和过压保护的电路中。以下是 BZX84C43LT1G 的一些典型应用场景: 1. 电源稳压 - 在低压电源电路中,BZX84C43LT1G 可用于提供稳定的参考电压。例如,在简单的线性稳压电路中,齐纳二极管与电阻串联后可以生成一个恒定的输出电压,适用于为低功耗设备供电。 2. 过压保护 - 当电路可能受到瞬态高压冲击时,齐纳二极管可以用作钳位元件。例如,在信号输入端或电源输入端,BZX84C43LT1G 能将电压限制在 43V 左右,从而保护后级电路免受损坏。 3. 电压基准 - 齐纳二极管常被用作电压基准源。BZX84C43LT1G 提供的 43V 稳定电压可以作为比较器、运算放大器或其他模拟电路中的参考电压。 4. 信号电平调整 - 在通信或传感器信号处理电路中,齐纳二极管可用于限制信号的最大电平。例如,当输入信号可能超过系统允许范围时,BZX84C43LT1G 可以将信号电平钳位到安全范围内。 5. ESD 保护 - 静电放电(ESD)可能导致敏感电子元件损坏。通过在关键节点上使用齐纳二极管,可以快速泄放静电能量,保护后续电路。 6. 开关电源中的辅助功能 - 在开关电源或 DC-DC 转换器中,齐纳二极管可以用来设置控制芯片的工作电压,或者作为反馈网络的一部分,确保输出电压的稳定性。 7. 音频和射频电路中的应用 - 在某些音频或射频电路中,齐纳二极管可以用作限幅器,防止信号幅度过大而导致失真或损坏。 特性总结: - 额定齐纳电压:43V - 功率耗散:约 0.5W(具体取决于封装) - 工作温度范围:通常为 -55°C 至 +150°C - 封装形式:SOD-123 封装,适合表面贴装技术(SMT) BZX84C43LT1G 凭借其高精度和可靠性,成为许多工业、消费类和汽车电子应用的理想选择。在实际设计中,应根据电路需求合理选择齐纳二极管的参数,并注意散热和电流限制问题。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 43V 225MW SOT23-3稳压二极管 43V 225mW |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,ON Semiconductor BZX84C43LT1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BZX84C43LT1G |
PCN设计/规格 | |
不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 30.1V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) |
其它名称 | BZX84C43LT1GOSCT |
功率-最大值 | 225mW |
功率耗散 | 300 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
容差 | ±7% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
封装/箱体 | SOT-23 |
工作温度 | - |
工厂包装数量 | 3000 |
最大反向漏泄电流 | 50 nA |
最大工作温度 | + 150 C |
最大齐纳阻抗 | 150 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 43V |
电压容差 | 7 % |
电压温度系数 | 42.1 mV/K |
系列 | BZX84C43L |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 150 欧姆 |
齐纳电压 | 43 V |
齐纳电流 | 10 mA |