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- 型号： BZX84C12ET1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84C12ET1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84C12ET1价格参考。ON SemiconductorBZX84C12ET1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84C12ET1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84C12ET1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84C12ET1 是安森美（ON Semiconductor）推出的SOT-23封装、标称稳压值为12 V的齐纳二极管（单管），典型稳定电压范围为11.4–12.7 V（测试电流Iz=5 mA），最大功率耗散为350 mW。其主要应用场景包括： 1. 电压基准与参考源：在低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考、电源监控电路）中提供稳定、低成本的12 V基准电压。 2. 过压保护与箝位：与TVS或串联限流电阻配合，用于保护后级IC（如MCU、运放、通信接口）免受瞬态过压（如ESD、开关噪声）损害，将电压箝位在约12 V安全范围内。 3. 简易稳压电源：在小电流（≤10 mA）、对精度和效率要求不高的场合（如LED偏置、微控制器复位电路、电池供电设备的辅助稳压），可构成分立式稳压器。 4. 电平转换与逻辑接口：在特定数字电路中用于限制输入电压幅值，适配不同逻辑电平（如将15 V信号箝位至12 V以匹配部分工业接口）。 该器件体积小、成本低、温度特性较优（TC ≈ ±0.07%/°C），适用于消费电子、工业控制、汽车电子（非安全关键系统）、物联网终端等对可靠性与尺寸有要求的嵌入式场景。需注意：不适用于大电流或高精度稳压需求，设计时应校核功耗与散热，并建议加限流电阻防止过流损坏。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZX84C12ET1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BZX84C12ET1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
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