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- 型号： BZX84B18LT1
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX84B18LT1由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX84B18LT1价格参考。ON SemiconductorBZX84B18LT1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX84B18LT1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX84B18LT1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX84B18LT1 是安森美（ON Semiconductor）推出的SOT-23封装、标称稳压值为18 V的齐纳二极管（单管），容差±2%（“B”档），功率额定值为350 mW。其典型应用场景包括： 1. 电压基准与参考：为低功耗模拟电路（如传感器信号调理、ADC/DAC参考源）提供稳定18 V基准，适用于对精度和温漂要求适中的场合。 2. 过压保护与钳位：在电源输入端或敏感IC引脚（如微控制器I/O口、运放输入）并联使用，将瞬态电压钳位于18 V左右，配合限流电阻可抑制ESD或浪涌冲击。 3. 电源稳压/分流调节：在小电流负载（≤10 mA）场景下，作为简单低成本的分流型稳压器，用于为实时时钟（RTC）、EEPROM或LED偏置电路提供稳定偏置电压。 4. 接口电平转换与箝位：在工业通信接口（如RS-485接收端）中限制信号摆幅，防止超范围电压损坏后续器件。 5. 消费电子与便携设备：得益于SOT-23小型封装及低功耗特性，广泛应用于手机周边、TWS耳机充电仓、智能穿戴设备等空间受限的电池供电系统中，实现局部电压管理。 注意：该器件不适用于大电流或高精度（<1%）稳压需求，设计时需校核功耗（P = Vz × Iz）及温度系数（约+5 mV/°C @ 18 V），并确保散热条件满足降额要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 18V 225MW SOT23-3 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZX84B18LT1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 12.6V |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | BZX84B18LT1OS |
| 功率-最大值 | 225mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 18V |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 45 欧姆 |
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