Datasheet下载- 型号： BZX55B8V2-TR
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZX55B8V2-TR由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZX55B8V2-TR价格参考。VishayBZX55B8V2-TR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZX55B8V2-TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZX55B8V2-TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZX55B8V2-TR 是由 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的一款单齐纳二极管，其典型应用场景包括以下方面： 1. 电压稳压 - BZX55B8V2-TR 的齐纳电压为 8.2V（±5% 精度），非常适合用于低压电路中的电压稳压。例如，在电源电路中，它可以将输出电压稳定在 8.2V 左右，保护后级电路免受电压波动的影响。 2. 过压保护 - 在信号线路或电源输入端，该齐纳二极管可以用来吸收瞬时过电压，防止敏感元件因过压而损坏。例如，在传感器接口或通信电路中，它能有效抑制电压尖峰。 3. 参考电压源 - 由于其稳定的齐纳电压特性，BZX55B8V2-TR 可用作简单的参考电压源。例如，在模拟电路或比较器电路中，提供一个稳定的基准电压以进行信号比较。 4. 信号箝位 - 在信号处理电路中，齐纳二极管可用于箝位信号幅度，确保信号电压不会超过设定的范围。例如，在音频或视频信号电路中，限制输入信号的峰值电压。 5. ESD 防护 - BZX55B8V2-TR 能够快速响应静电放电（ESD）事件，将其引入地线以保护敏感器件。这种应用常见于 USB 接口、GPIO 引脚或其他易受 ESD 影响的电路。 6. 电池保护电路 - 在小型电池管理系统中，该齐纳二极管可以监控电池电压，防止过充或过放。例如，在锂电池保护电路中，配合其他元件实现电压监测功能。 7. 温度补偿电路 - 齐纳二极管的温度特性可以通过设计补偿电路来利用。BZX55B8V2-TR 可用于需要温度补偿的精密电路中，如某些传感器或放大器电路。 特性总结： - 额定功率：0.35W（最大） - 工作电流：5mA（典型齐纳电流） - 封装形式：DO-35 小型玻璃封装 - 工作温度范围：-65°C 至 +175°C BZX55B8V2-TR 因其小尺寸、高可靠性和良好的电气特性，广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子以及通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 500MW 8.2V DO35稳压二极管 8.2 Volt 0.5W 2% |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Vishay SemiconductorsVishay Semiconductor Diodes Division |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Vishay Semiconductors BZX55B8V2-TR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZX55B8V2-TRBZX55B8V2-TR |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1.5V @ 200mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 6.2V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-35 |
| 其它名称 | BZX55B8V2GICT |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | - |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AH，DO-35，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-35 |
| 工作温度 | 175°C |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最大齐纳阻抗 | 7 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 8.2V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 0.055 %/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 7 欧姆 |
| 齐纳电压 | 8.2 V |
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