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产品简介:
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BZV85-C4V7,113 是 NXP USA Inc. 推出的一款 4.7 V 齐纳二极管(单管、玻璃封装、DO-35),主要用作精密电压基准与过压保护。其典型应用场景包括: 1. 低功耗电压稳压:在便携式设备(如传感器节点、IoT终端、遥控器)中为MCU或模拟电路提供稳定4.7 V参考电压,适用于电流≤5 mA的轻负载场景; 2. ESD/瞬态电压抑制辅助保护:常与TVS或串联限流电阻配合,钳位信号线或电源输入端的异常电压,防止后级IC(如I²C接口、ADC输入)受浪涌损伤; 3. 基准源与比较器电路:在简易电源监控、电池电压检测(如监测3.3 V/5 V系统中4.7 V阈值)、窗口比较器中作为固定参考点; 4. 模拟电路偏置:为运放、基准放大器等提供低温漂、低成本偏置电压(需注意其标称容差±5%,温度系数约+2.5 mV/°C)。 该器件具有低动态阻抗(≈70 Ω @ 5 mA)、反向击穿特性陡峭、长期稳定性好等特点,但不适用于大电流稳压(额定功率仅1.3 W,建议持续功耗≤400 mW)。广泛用于消费电子、工业控制板、汽车电子(非安全关键子系统)及通用电源管理模块中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER 4.7V 1.3W DO41 |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BZV85-C4V7,113 |
| PCN其它 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 50mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 1V |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 933659380113 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | DO-204AL,DO-41,轴向 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 标准包装 | 5,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 4.7V |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 13 欧姆 |