Datasheet下载- 型号： BZV85-C39,113
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV85-C39,113由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV85-C39,113价格参考。NXP SemiconductorsBZV85-C39,113封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZV85-C39,113参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZV85-C39,113 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZV85-C39,113 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款齐纳二极管，属于二极管 - 齐纳 - 单类别。该型号的齐纳二极管具有以下典型应用场景： 1. 电压稳压 BZV85-C39,113 的主要功能是提供稳定的参考电压。它适用于各种需要精确电压控制的电路中，例如： - 电源电路中的电压稳定。 - 为模拟电路提供基准电压。 - 在低功耗设备中用作简单的稳压器。 2. 过压保护 该齐纳二极管可以用于防止电路因过高的电压而损坏。例如： - 在传感器接口中保护敏感元件。 - 在通信电路中防止信号电压超过安全范围。 - 在输入/输出端口提供瞬态电压抑制。 3. 信号电平转换 BZV85-C39,113 可以用来调整信号电平，确保信号在合适的范围内工作。例如： - 在数字电路中将高电平信号钳位到指定值。 - 在音频电路中限制信号幅度以避免失真。 4. 电源监控 该型号的齐纳二极管可用于检测和监控电源电压是否超出正常范围。例如： - 在电池管理系统中监测电压状态。 - 在嵌入式系统中触发欠压或过压报警。 5. 浪涌电压抑制 BZV85-C39,113 能够吸收短暂的电压浪涌，保护后级电路免受损害。例如： - 在开关电源中抑制电压尖峰。 - 在电机驱动电路中吸收反电动势。 参数特点 - 齐纳电压：39V（标称值）。 - 功率耗散：1.3W。 - 封装形式：通常为小型表面贴装或通孔封装，便于集成到各种设计中。 应用领域 - 工业自动化设备。 - 消费类电子产品（如音响、电视等）。 - 汽车电子系统。 - 通信设备（如调制解调器、路由器等）。 - 医疗设备中的电源管理和信号处理。 总之，BZV85-C39,113 是一款性能可靠的齐纳二极管，广泛应用于需要电压稳定、保护和信号调节的场景中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 39V 1.3W DO41稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV85-C39,113- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV85-C39,113 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 1V @ 50mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 27V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | DO-41 |
| 其它名称 | 568-11025-1 |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 功率耗散 | 1.3 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DO-204AL，DO-41，轴向 |
| 封装/箱体 | DO-41 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 60 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 39V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 36.3 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 60 欧姆 |
| 零件号别名 | BZV85-C39 T/R |
| 齐纳电压 | 39 V |
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