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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B39,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B39,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B39,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZV55-B39,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZV55-B39,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BZV55-B39,115 是一款齐纳二极管,属于单齐纳二极管类别,标称齐纳电压为39V(典型值),功率耗散能力为500mW。该器件采用小信号封装(如SOD66B),具有体积小、响应快、稳定性高等特点。 BZV55-B39,115 主要应用于需要电压稳压和过压保护的电路中。常见使用场景包括: 1. 电源管理电路:用于低压直流电源系统中的稳压环节,确保输出电压稳定在安全范围内,防止负载因电压波动而损坏。 2. 信号线路保护:在通信接口(如I²C、UART等)或传感器信号线上,作为瞬态电压抑制器,吸收静电放电(ESD)或感应过压,提高系统可靠性。 3. 消费类电子产品:广泛应用于手机、路由器、智能家居设备等内部电路,提供关键节点的电压钳位保护。 4. 工业控制设备:在PLC模块、传感器供电回路中用作参考电压源或保护元件,保障控制系统稳定运行。 5. 汽车电子辅助系统:适用于车载低功耗模块(如信息娱乐系统、传感器接口),满足AEC-Q101可靠性要求的部分应用场景。 该器件温度稳定性好,动态阻抗低,适合对精度和可靠性有一定要求的中低功率应用。其高一致性和成熟工艺也使其成为批量生产中的优选保护元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 39V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B39,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV55-B39,115 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 27.3V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
| 其它名称 | 568-11158-2 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-80C |
| 封装/箱体 | SOD-80 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 130 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 39V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 34.8 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 130 欧姆 |
| 零件号别名 | BZV55-B39 T/R |
| 齐纳电压 | 39 V |
| 齐纳电流 | 250 mA |