Datasheet下载- 型号： BZV55-B12,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZV55-B12,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZV55-B12,115价格参考。NXP SemiconductorsBZV55-B12,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZV55-B12,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZV55-B12,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BZV55-B12,115 是一款齐纳二极管，属于单齐纳二极管类别，主要用于电压稳压和电路保护。其标称齐纳电压为12V，典型应用包括电源管理、信号电平钳位及过压保护。 该器件常用于消费类电子产品（如电视、机顶盒、路由器等）中的低功率稳压电路，也可在工业控制设备、传感器模块和通信系统中作为基准电压源或瞬态电压抑制元件。由于其体积小、响应速度快且稳定性高，适合在空间受限的PCB设计中使用。 BZV55-B12,115 采用SOD27封装，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于自动化贴片生产。其工作功率为500mW，能够承受一定的瞬时过压冲击，广泛应用于需要精确电压箝位的模拟和数字电路中。 此外，在接口电路（如USB、I/O端口）中，该齐纳二极管可防止静电放电（ESD）或感应电压对敏感元件造成损坏，提供一定程度的浪涌保护。总体而言，BZV55-B12,115 是一种经济高效的电压保护解决方案，适用于中低功率、高稳定性的电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 12V 500MW LLDS稳压二极管 DIODE ZENER 2 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZV55-B12,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZV55-B12,115 |
| PCN其它 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | LLDS; MiniMelf |
| 其它名称 | 568-8035-6 |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-80C |
| 封装/箱体 | SOD-80 |
| 工作温度 | -65°C ~ 200°C |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 200 C |
| 最大齐纳阻抗 | 25 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向电压下降 | 0.9 V at 10 mA |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 12V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | 8.4 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 25 欧姆 |
| 零件号别名 | BZV55-B12 T/R |
| 齐纳电压 | 12 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |
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