Datasheet下载- 型号： BZT52H-C62,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-C62,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-C62,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-C62,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZT52H-C62,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZT52H-C62,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52H-C62,115 是 NXP USA Inc. 推出的高可靠性表面贴装齐纳二极管（单管），标称稳压值为 62 V（容差 ±5%），功率额定值为 500 mW（符合 AEC-Q200 认证，适用于汽车级应用）。其典型应用场景包括： 1. 汽车电子系统稳压与过压保护：用于车载信息娱乐系统、车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动电路中，为敏感IC提供精准参考电压或钳位瞬态过压（如负载突降、抛负载事件中的浪涌抑制）。 2. 工业传感器与仪表电源管理：在PLC输入模块、压力/温度变送器等设备中，作为基准电压源或反向电压保护器件，确保模拟前端（如ADC参考）稳定性。 3. 消费类电源适配器与充电电路：在次级侧反馈回路（如光耦驱动端）中提供62 V稳压基准，辅助实现恒压控制；或用于USB PD、快充协议芯片的过压检测阈值设定。 4. ESD与浪涌防护协同应用：常与TVS二极管配合，承担中低能量箝位任务，提升系统级EMC抗扰度（如IEC 61000-4-5 浪涌测试）。 该器件采用SOD-123F封装，具备小尺寸、高热效率及优异的长期稳定性，特别适合空间受限且需高可靠性的板级设计。注意其最大齐纳电流需结合功耗与散热条件合理设计，避免热失效。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 62V 375MW SOD123F稳压二极管 DIODE ZENER 5 PCT |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C62,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-C62,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 43.4V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-3781-6 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 功率耗散 | 830 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 50 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 140 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 62V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 65.2 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 140 欧姆 |
| 零件号别名 | BZT52H-C62 T/R |
| 齐纳电压 | 66 V |
| 齐纳电流 | 250 mA |
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