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  • 型号: BZT52H-C3V6,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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BZT52H-C3V6,115产品简介:

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产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

DIODE ZENER 3.6V 375MW SOD123F稳压二极管 375MW 3.6V

产品分类

单二极管/齐纳分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-C3V6,115-

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产品型号

BZT52H-C3V6,115

PCN封装

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不同If时的电压-正向(Vf)

900mV @ 10mA

不同 Vr时的电流-反向漏电流

5µA @ 1V

产品目录绘图

产品种类

稳压二极管

供应商器件封装

SOD-123F

其它名称

568-3771-2
934059388115
BZT52H-C3V6 T/R

功率-最大值

375mW

功率耗散

830 mW

包装

带卷 (TR)

商标

NXP Semiconductors

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

容差

±5%

封装

Reel

封装/外壳

SOD-123F

封装/箱体

SOD-123F

工作温度

-65°C ~ 150°C

工厂包装数量

3000

最大反向漏泄电流

5 uA

最大工作温度

+ 150 C

最大齐纳阻抗

95 Ohms

最小工作温度

- 65 C

标准包装

3,000

电压-齐纳(标称值)(Vz)

3.6V

电压容差

6 %

电压温度系数

- 1.75 mV/K

配置

Single

阻抗(最大值)(Zzt)

95 欧姆

零件号别名

BZT52H-C3V6 T/R

齐纳电压

3.8 V

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