ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 二极管 - 齐纳 - 单 > BZT52H-B3V3,115
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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BZT52H-B3V3,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52H-B3V3,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52H-B3V3,115价格参考。NXP SemiconductorsBZT52H-B3V3,115封装/规格：二极管 - 齐纳 - 单， Zener Diode 3.3V 375mW ±2% Surface Mount SOD-123F。您可以下载BZT52H-B3V3,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZT52H-B3V3,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BZT52H-B3V3,115 是一款表面贴装的齐纳二极管，标称齐纳电压为3.3V（典型值），属于BZT52系列，采用SOD323封装。该器件主要用于低功率稳压和电压参考应用。 其主要应用场景包括：便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和可穿戴设备）中的电源管理电路，用于提供稳定的参考电压或过压保护；在消费类电子产品（如机顶盒、路由器、智能家居设备）中，用于信号线路的静电放电（ESD）保护和电压钳位；也可应用于工业控制模块、传感器电路和低压微控制器系统中，作为基准电压源或电源轨保护元件。 由于其小尺寸封装和良好的热稳定性，BZT52H-B3V3,115 非常适合空间受限的高密度PCB设计。此外，该器件具有快速响应时间和较高的可靠性，能够在瞬态电压波动或反向过压情况下有效保护敏感电子元件。 总体而言，BZT52H-B3V3,115 凭借其稳定的电气性能和紧凑的封装，广泛适用于需要精确电压钳位和低功耗稳压的各类电子系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 3.3V 375MW SOD123F稳压二极管 3.37V 1uA 95Ohm |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZT52H-B3V3,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52H-B3V3,115 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123F |
| 其它名称 | 568-11141-6 |
| 功率-最大值 | 375mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123F |
| 封装/箱体 | SOD-123F |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 1 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.3V |
| 电压温度系数 | - 3.5 mV/K to 0.0 mV/K |
| 配置 | Single |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.37 V |
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