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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZT52C11-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZT52C11-7-F价格参考。Diodes Inc.BZT52C11-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZT52C11-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZT52C11-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZT52C11-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款单齐纳二极管,其主要应用场景包括以下几个方面: 1. 电压稳压 - BZT52C11-7-F 的齐纳电压为 11V(±5% 精度),适用于需要稳定电压的电路。例如,在电源电路中,它可以用来提供稳定的参考电压,确保后续电路正常工作。 - 应用场景:低功耗设备中的电压调节、传感器供电电压的稳定等。 2. 过压保护 - 该齐纳二极管可以在电路中用作过压保护元件。当输入电压超过设定值时,齐纳二极管会导通,将多余的电压泄放到地,从而保护敏感器件。 - 应用场景:USB接口保护、信号线防过压、电池充电保护电路等。 3. 信号电平转换 - 在信号处理电路中,BZT52C11-7-F 可以用于限制信号幅度或进行电平转换,确保信号在允许的范围内。 - 应用场景:音频信号限幅、模拟信号调理电路等。 4. 基准电压源 - 齐纳二极管可以作为简单的基准电压源,为比较器、运放等电路提供稳定的参考电压。 - 应用场景:比较器电路、模数转换器(ADC)参考电压生成等。 5. ESD保护 - 虽然 BZT52C11-7-F 不是专门的 ESD 保护器件,但在某些情况下,它可以辅助吸收静电放电脉冲,保护下游电路。 - 应用场景:低速数据线的静电防护。 特性总结: - 封装形式:SOD-123FL,适合表面贴装技术(SMT)。 - 功率:最大耗散功率为 500mW(Ta=25°C),适合低功耗应用。 - 工作温度范围:-55°C 至 +150°C,适应宽温环境。 注意事项: - 使用时需确保流经齐纳二极管的电流在其额定范围内,避免过流损坏。 - 需要串联限流电阻以控制电流,具体阻值根据电路需求计算。 总之,BZT52C11-7-F 适合应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域,特别是在需要简单、可靠电压稳压和保护功能的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER 11V 500MW SOD123稳压二极管 11V 500mW |
| 产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated BZT52C11-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZT52C11-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 100nA @ 8V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOD-123 |
| 其它名称 | BZT52C11-FDIDKR |
| 功率-最大值 | 500mW |
| 功率耗散 | 500 mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOD-123 |
| 封装/箱体 | SOD-123 |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 100 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 11V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 7.2 mV/C |
| 系列 | BZT52C11 |
| 配置 | Single |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
| 齐纳电压 | 11 V |
| 齐纳电流 | 5 mA |