【未分类_BZM55C12-TR3】封装/厂家_BZM55C12-TR3中文资料_价格

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型号： BZM55C12-TR3
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供BZM55C12-TR3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZM55C12-TR3价格参考。VishayBZM55C12-TR3封装/规格：未分类，暂无。您可以下载BZM55C12-TR3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZM55C12-TR3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BZM55C12-TR3 是由 Vishay Semiconductor Diodes Division 生产的一款单齐纳二极管，其主要应用场景如下：

 1. 电压稳压
   - BZM55C12-TR3 的齐纳击穿电压为 12V，适用于需要稳定电压的电路中。例如，在电源电路中，它可以用来提供稳定的参考电压，确保后级电路在电压波动时仍能正常工作。

 2. 过压保护
   - 在电子设备中，该齐纳二极管可以用于防止输入电压过高对敏感元件造成损坏。例如，在传感器接口或信号传输线路中，它可以限制电压不超过设定值（12V），从而保护后续电路。

 3. 信号电平转换
   - 在数字或模拟信号处理中，BZM55C12-TR3 可用于将输入信号限制在一个特定的电压范围内。例如，当输入信号可能超过系统允许的最大值时，齐纳二极管可以将信号钳位到安全电平。

 4. 参考电压源
   - 由于其稳定的击穿电压特性，BZM55C12-TR3 可作为简单的参考电压源，用于比较器、运算放大器或其他需要精确电压基准的电路中。

 5. ESD 防护
   - 在一些易受静电放电（ESD）影响的电路中，该齐纳二极管可以用作瞬态电压抑制器，吸收瞬间高电压，保护敏感元件。

 6. 音频和射频电路中的应用
   - 在音频或射频电路中，BZM55C12-TR3 可用于限幅或削波功能，防止信号幅度过大导致失真或损坏。

 特性总结：
   - 额定功率：约 0.5W（典型值）。
   - 封装类型：DO-35 小型玻璃封装，适合紧凑型设计。
   - 温度范围：宽温范围操作，适合工业和消费类应用。

这款齐纳二极管广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备以及汽车电子等领域，特别是在需要简单、可靠且低成本电压调节或保护的场景中表现优异。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	DIODE ZENER 500MW MICROMELF
产品分类	单二极管/齐纳
品牌	Vishay Semiconductor Diodes Division
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	BZM55C12-TR3
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	*
标准包装	10,000