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产品简介:
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BZB84-C75,215 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的齐纳二极管阵列(双路共阴极结构),标称稳压值为75 V,容差约±5%,最大功率为300 mW(每通道)。其典型应用场景包括: 1. 过压保护(OVP):常用于电源输入端或敏感模拟/数字电路前级,配合TVS或限流电阻,钳位瞬态高压(如ESD、EFT或开关噪声),防止后级IC损坏。 2. 精密电压基准/参考:在低功耗、非高精度场合(如电池供电仪表、传感器偏置电路)中,提供稳定的75 V基准点,用于比较器阈值设定或ADC参考分压。 3. 稳压与电压箝位:在小电流负载(≤10 mA)下为局部电路(如光耦输入侧、高压检测分压网络)提供稳定偏置电压;亦用于反馈环路中的电压箝位,防止运放饱和。 4. 工业控制接口保护:适用于PLC数字输入模块、4–20 mA环路接收端等,抑制现场总线引入的浪涌与反向电压。 需注意:该器件为双芯片共阴极封装(SOT-23),不适用于大电流稳压;实际使用时须严格限制功耗(建议Iz ≤ 3 mA),并配合限流电阻设计。典型工作温度范围为−65 °C 至 +150 °C,适合工业及汽车电子环境(符合AEC-Q200基础要求)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 75V TO236AB |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BZB84-C75,215 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 50nA @ 52.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934063345215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 容差 | ±5% |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 工作温度 | - |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 75V |
| 配置 | 1 对共阳极 |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 255 欧姆 |