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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-C10,215由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-C10,215价格参考。NXP SemiconductorsBZB84-C10,215封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BZB84-C10,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BZB84-C10,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZB84-C10,215 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的双齐纳二极管阵列(SOT-23封装,含两个独立的10 V齐纳管),主要应用于低功耗、空间受限的电压基准与保护电路。典型应用场景包括: 1. 精密电压参考:为ADC、DAC或传感器供电电路提供稳定的10 V基准电压(典型测试电流Iz=5 mA,容差±5%),适用于便携式仪表、工业传感器信号调理等对精度要求适中的场合; 2. 过压/ESD保护:利用其双向钳位特性(反向击穿+正向导通),在I/O端口或通信线路(如I²C、SPI总线)中实现±10 V左右的瞬态电压抑制,配合TVS或限流电阻可增强系统抗干扰能力; 3. 双路稳压/箝位电路:集成双通道结构,适用于需对称稳压的模拟电路(如运放偏置、双电源监控)、或同时保护正负信号路径(如差分接口); 4. 低成本替代方案:在无需高功率(Pd=300 mW)或超高精度(如温度系数<2 mV/°C)的消费类电子(机顶盒、智能家电控制板)中,替代分立齐纳管以节省PCB面积和装配成本。 注意:该器件不适用于大电流稳压或高频噪声抑制场景,设计时需确保工作电流在5–20 mA范围内以保障稳定击穿,并注意SOT-23封装的热管理限制。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 10V TO236AB稳压二极管 Diode Zener Dual Com Anode 10V 250mW 3Pin |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-C10,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB84-C10,215 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 200nA @ 7V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934061695215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±5% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 200 nA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 20 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳(标称值)(Vz) | 10V |
| 电压容差 | 5 % |
| 电压温度系数 | 6.25 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗(最大值)(Zzt) | 20 欧姆 |
| 齐纳电压 | 10 V |