Datasheet下载- 型号： BZB84-B3V3,215
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BZB84-B3V3,215由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BZB84-B3V3,215价格参考￥0.11-￥0.11。NXP SemiconductorsBZB84-B3V3,215封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BZB84-B3V3,215参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BZB84-B3V3,215 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BZB84-B3V3,215 是 NXP USA Inc. 推出的双齐纳二极管阵列（SOT-23 封装），含两个独立、反向串联的 3.3 V 齐纳管（标称稳压值 3.3 V，容差 ±5%，即 3.14–3.47 V）。其典型应用场景包括： 1. 低电压精密箝位与过压保护：用于 USB、I²C、GPIO 等低压数字接口，限制信号摆幅（如±3.3 V 双向箝位），防止 ESD 或瞬态过压损坏 MCU/传感器。 2. 双极性参考电压源：配合运放或ADC，提供对称的±3.3 V 基准，适用于便携式仪器、电池供电传感器的偏置电路。 3. 低功耗电压监测与稳压：在空间受限的可穿戴设备、IoT 节点中，为微控制器复位电路或电源监控模块提供简易、低成本的3.3 V基准（最大测试电流 5 mA）。 4. ESD 保护辅助器件：常与专用 TVS 配合使用，提升 I/O 端口的系统级静电防护能力（IEC 61000-4-2 Level 4 兼容设计）。 该器件具有低动态阻抗（≈90 Ω）、低漏电流（IR < 1 µA @ 1 V）、小尺寸（SOT-23）及 AEC-Q200 认证（部分批次），适用于工业控制、汽车电子（如车身控制模块）、消费类电子等对可靠性与集成度要求较高的场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | DIODE ZENER DUAL 3.3V TO236AB稳压二极管 Diode Zener Dual Com Anode3.3V 250mW 3Pin |
| 产品分类 | 二极管/齐纳阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | http://www.nxp.com/documents/data_sheet/BZB84_SER.pdf?ecmp=mouser |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,NXP Semiconductors BZB84-B3V3,215- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BZB84-B3V3,215 |
| 不同If时的电压-正向(Vf) | 900mV @ 10mA |
| 不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 5µA @ 1V |
| 产品种类 | 稳压二极管 |
| 供应商器件封装 | SOT-23 (TO-236AB) |
| 其它名称 | 934061704215 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 功率耗散 | 300 mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 容差 | ±2% |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | TO-236AB |
| 工作温度 | - |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 最大反向漏泄电流 | 5 uA |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大齐纳阻抗 | 95 Ohms |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-齐纳（标称值）(Vz) | 3.3V |
| 电压容差 | 2 % |
| 电压温度系数 | - 1.75 mV/K |
| 配置 | Dual Common Anode |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 95 欧姆 |
| 齐纳电压 | 3.3 V |
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