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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUZ32
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ32由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ32价格参考。InfineonBUZ32封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUZ32参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUZ32 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUZ32 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型垂直功率MOSFET，采用TO-220封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 0.18 Ω @ VGS=10 V）、高击穿电压（VDSS = 500 V）及良好开关特性。其典型应用场景包括： - 开关电源（SMPS）：用作主开关管或同步整流管，适用于AC/DC适配器、PC电源、LED驱动电源等，兼顾效率与热稳定性； - 电机控制：驱动中小功率直流电机、步进电机或风扇，在工业控制板、家电（如洗衣机、空调压缩机辅助电路）中实现PWM调速； - 照明电子镇流器：在荧光灯/高压钠灯电子镇流器中承担高频开关功能； - 电感负载开关/继电器替代：用于PLC输出模块、固态继电器（SSR）等需高耐压、抗浪涌的场合； - 电池管理系统（BMS）保护电路：作为过流/短路保护的主控开关（需配合驱动与保护电路）。 需注意：BUZ32为非逻辑电平驱动（推荐VGS ≥ 10 V），须配合适当栅极驱动；其SOA（安全工作区）限制了脉冲电流能力，设计时应重视散热（建议加装散热片）及瞬态电压抑制（如RCD吸收电路）。该器件已逐步被英飞凌更新的CoolMOS™系列替代，新设计建议评估更高效型号，但BUZ32仍在部分成熟工业设备中广泛使用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/Buz32_Rev+2.2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b28a94486 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUZ32 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SIPMOS® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 530pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 6A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO220-3 |
| 其它名称 | BUZ32-ND |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Tc） |
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