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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUZ100S-E3045A
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUZ100S-E3045A由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUZ100S-E3045A价格参考。InfineonBUZ100S-E3045A封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUZ100S-E3045A参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUZ100S-E3045A 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUZ100S-E3045A 是英飞凌（Infineon Technologies）推出的N沟道增强型垂直功率MOSFET，采用TO-220封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 1.8 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 120 A）和优异的雪崩耐受能力。其典型应用场景包括： - 工业电机驱动：用于变频器、伺服驱动器及泵/风机控制中的主开关或H桥输出级，支持高频PWM控制与高效能切换； - 电源系统：作为DC-DC转换器（如Buck、LLC拓扑）的同步整流管或主开关，适用于通信电源、服务器PSU等中高功率场合； - 汽车电子：符合AEC-Q101标准（注：需确认具体批次是否通过车规认证），可用于车载充电机（OBC）、DC-DC变换模块及电动助力转向（EPS）系统的功率级； - 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充放电主控开关，支持大电流通断与过流快速响应； - 焊接设备与UPS：在高脉冲电流、高可靠性要求的工业装备中承担主功率开关角色。 该器件具备良好的热性能（RthJC ≈ 0.6 K/W）和鲁棒的体二极管特性，适合硬开关及部分软开关应用。设计时需注意PCB散热布局、栅极驱动强度（推荐峰值驱动电流≥2 A）及dv/dt抗扰能力。实际选型应以Infineon官方最新数据手册（如Rev. 2.0）为准，并结合具体工况进行SOA与温升验证。
产品参数
图文手册
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