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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BULB7216T4由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BULB7216T4价格参考。STMicroelectronicsBULB7216T4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BULB7216T4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BULB7216T4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN HV FAST 700V D2PAK两极晶体管 - BJT PWR BIP/S.SIGNAL |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路分离式半导体 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,STMicroelectronics BULB7216T4- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BULB7216T4 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 3V @ 80mA,800mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 4 @ 2A,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL822/SC94/PF203713?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 80W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 12 V |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | NPN |
| 最大功率耗散 | 80000 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 700V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 3A |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100µA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 7 |
| 系列 | BULB7216 |
| 配置 | Single |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 700 V |
| 频率-跃迁 | - |