Datasheet下载- 型号： BUL642D2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUL642D2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUL642D2G价格参考。ON SemiconductorBUL642D2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUL642D2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUL642D2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUL642D2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的NPN型高电压、高增益双极结型晶体管（BJT），主要面向高压开关应用。其典型应用场景包括： - 电子镇流器与荧光灯驱动电路：凭借高达1000V的集电极-发射极击穿电压（VCEO）和良好的开关特性，常用于紧凑型荧光灯（CFL）及LED驱动电源中的高频半桥/自激振荡电路。 - 开关电源（SMPS）中的功率开关：适用于中小功率离线式反激或正激转换器的初级侧开关（尤其在成本敏感、中低频<50kHz场合），配合RCD钳位电路实现可靠能量转换。 - 电机控制与继电器驱动：可驱动小型直流电机、电磁阀或固态继电器，利用其高电流增益（hFE ≥ 30 @ IC=0.5A）简化基极驱动设计。 - 高压脉冲发生器与行输出电路：在老式CRT显示器、复印机或工业脉冲设备中承担行扫描或高压脉冲开关功能。 该器件采用TO-220AB封装，具备良好散热能力；内置阻尼二极管（D2后缀标识）可抑制关断时的电压尖峰，提升系统可靠性。需注意其最大集电极电流为3A（连续），不适用于大功率连续导通场景，设计时应留足安全裕量并确保充分散热。 综上，BUL642D2G 主要用于中等功率、高电压、中低频开关应用，兼顾性能、成本与可靠性，是传统模拟开关电源及照明驱动领域的成熟选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN BIPO 75W 3A TO-220AB |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 单路 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUL642D2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1.5V @ 200mA，2A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 16 @ 500mA，1V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 75W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 晶体管类型 | NPN |
| 标准包装 | 50 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 440V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 3A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 200µA |
| 频率-跃迁 | 13MHz |
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