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产品简介:
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BUK9E3R2-40B,127 是恩智浦(NXP USA Inc.)推出的高性能逻辑电平N沟道增强型MOSFET,采用LFPAK56封装,具有超低导通电阻(RDS(on)典型值仅3.2 mΩ @ VGS = 10 V,4.8 mΩ @ 4.5 V)、40 V耐压及高电流能力(ID连续达120 A),并集成ESD保护与雪崩额定能力。 其主要应用场景包括: ✅ 汽车电子系统:广泛用于车身控制模块(BCM)、智能LED车灯驱动、电动座椅/车窗电机控制、12 V/24 V电源分配开关及DC-DC转换器的同步整流; ✅ 工业电源与负载开关:适用于高效率板载电源(POL)、热插拔电路、固态继电器(SSR)、PLC输出驱动及电机H桥驱动中的高端/低端开关; ✅ 消费类与计算设备:用于笔记本电脑/服务器主板的VRM供电、电池保护电路(如充电管理中的充放电路径控制)、USB-C PD电源开关等对低损耗和快速响应要求严苛的场合。 该器件支持逻辑电平驱动(兼容3.3 V/5 V MCU GPIO),具备优异的热性能(Rth(j-sp) ≈ 1.2 K/W),配合无铅、符合AEC-Q101汽车级可靠性认证(127为卷带包装型号),特别适合空间受限、高功率密度且需高可靠性的中低压大电流开关应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK9E3R2-40B,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10502pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.8 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-6639 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |