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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK9E1R6-30E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9E1R6-30E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9E1R6-30E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9E1R6-30E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9E1R6-30E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9E1R6-30E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9E1R6-30E,127 是恩智浦（NXP）推出的高性能逻辑电平N沟道增强型MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：30V漏源电压（VDS）、最大导通电阻仅1.6mΩ（典型值，VGS=10V）、连续漏极电流高达120A（Tc=25°C），并具备强健的雪崩耐量与低开关损耗。 该器件主要应用于对效率、功率密度和热性能要求严苛的中低压大电流场景，典型应用包括： ✅ 汽车电子：车载DC-DC转换器（如12V/48V双向升降压）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的高边/低边负载开关； ✅ 工业电源：服务器/通信设备的POL（点负载）同步整流、高效率AC-DC二次侧同步整流、电机驱动H桥的低侧开关； ✅ 消费与计算：高端笔记本电脑/游戏主机的CPU/GPU供电VRM（电压调节模块）中作为下管（low-side FET），支持高频（≥1MHz）高效运行； ✅ 电池管理系统（BMS）：电动工具、轻型电动车（如E-bike）的电池保护电路及充放电主回路开关。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1.0–2.1V）可直接兼容3.3V/5V MCU或驱动IC，简化外围设计；LFPAK封装具备优异散热性与PCB贴装可靠性，适合自动化生产。需注意在高电流应用中合理布局PCB铜箔散热，并配合栅极驱动优化以抑制振铃与EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9E1R6-30E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 113nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 毫欧 @ 25A, 10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9869-5 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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