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详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK9907-55ATE,127
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK9907-55ATE,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK9907-55ATE,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK9907-55ATE,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK9907-55ATE,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK9907-55ATE,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK9907-55ATE,127 是恩智浦（NXP）推出的逻辑电平N沟道增强型MOSFET，采用TO-220AB封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 7.5 mΩ @ VGS = 10 V）、55 V漏源耐压、70 A连续漏极电流（Tc = 25°C）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - 汽车电子：广泛用于12V/24V车载系统，如车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（前大灯、尾灯、转向灯）、雨刮电机、座椅调节、风扇控制等；符合AEC-Q101车规认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 - 工业控制：适用于DC-DC电源同步整流、电机驱动（如小型直流无刷电机或步进电机的H桥下管）、继电器/电磁阀替代开关、PLC输出模块等中功率负载切换场景。 - 电源管理：在开关电源（SMPS）、电池管理系统（BMS）的充放电保护电路、负载开关（Load Switch）中用作高效、低损耗的主功率开关。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至1–2.5 V），可直接由MCU GPIO（3.3V/5V）驱动，简化外围电路；内置ESD保护和雪崩耐量（EAS = 360 mJ），提升系统鲁棒性。需注意散热设计（TO-220封装需配合适当散热器）以保障持续高电流工作稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK9907-55ATE,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5836pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 108nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.2 毫欧 @ 50A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220-5 |
| 其它名称 | 568-9761-5 |
| 功率-最大值 | 272W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-5 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
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