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Datasheet下载- 型号： BUK968R3-40E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK968R3-40E,118产品简介：
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BUK968R3-40E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 8.3 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V 耐压、连续漏极电流高达 120 A（Tc = 25°C）等特性。其逻辑电平驱动能力（VGS(th) 典型值 2.0 V，可被 3.3 V/5 V MCU 直接驱动）和高功率密度，使其广泛应用于中高功率开关场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的车灯驱动（前照灯、尾灯、转向灯）、电机控制（散热风扇、雨刮器、座椅调节）、DC-DC 转换器（如 12 V→5 V/3.3 V 电源管理）；符合 AEC-Q101 认证，具备高可靠性与抗干扰能力。 ✅ 工业电源与负载开关：服务器/通信设备的热插拔保护、板级电源分配（e-Fuse）、大电流负载开关（如继电器替代方案）。 ✅ 电动工具与家电：无刷直流（BLDC）电机的上/下桥臂驱动（常用于三相逆变器半桥单元）、电池供电设备的主电源开关。 ✅ LED 照明驱动：高亮度 LED 驱动电路中的 PWM 调光开关，支持高频高效工作。 该器件集成雪崩能量耐受（EAS = 710 mJ），具备强鲁棒性；优化的体二极管反向恢复特性亦利于降低开关噪声。适用于需高效率、小体积、宽温域（–55°C 至 +175°C）及车规级可靠性的中功率开关场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK968R3-40E,118 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.9nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.4 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9893-2 |
| 功率-最大值 | 96W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Ta） |
