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Datasheet下载- 型号： BUK961R7-40E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK961R7-40E,118产品简介：
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BUK961R7-40E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有极低导通电阻（RDS(on) ≤ 1.7 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V 耐压及高达 120 A 的脉冲电流能力。其主要应用场景包括： - 汽车电子系统：广泛用于车身控制模块（BCM）、座椅/车窗电机驱动、LED 前照灯/尾灯调光与开关、雨刷/风扇控制等 12 V/24 V 直流负载开关；符合 AEC-Q101 可靠性标准，支持严苛车载环境。 - 工业电源与负载管理：适用于 DC-DC 二次侧同步整流、高效率热插拔（Hot-swap）电路、电源分配单元（PDU）及固态继电器（SSR），凭借低 RDS(on) 显著降低导通损耗与温升。 - 电动工具与电池供电设备：作为主功率开关，用于无刷直流（BLDC）电机的相位驱动或电池保护电路（如智能电池包中的充放电主开关），支持快速开关与高电流瞬态响应。 该器件集成栅极ESD保护，具备雪崩耐受能力，配合逻辑电平驱动（可直接由 MCU GPIO 控制），简化外围设计，提升系统集成度与可靠性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK961R7-40E,118 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15010pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 105.4nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-10248-1 |
| 功率-最大值 | 324W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
