Datasheet下载- 型号： BUK961R4-30E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK961R4-30E,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK961R4-30E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK961R4-30E,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK961R4-30E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK961R4-30E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK961R4-30E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有极低导通电阻（RDS(on) ≤ 1.4 mΩ @ VGS = 10 V）、30 V 耐压和高达 120 A 的连续漏极电流能力。其优化的开关特性与强健的雪崩耐受能力，使其特别适用于高效率、大电流、中低压直流电源管理场景。 典型应用场景包括： ✅ 汽车电子：车载 DC-DC 转换器（如 12 V/48 V 系统）、电动座椅/车窗驱动、LED 大灯调光与开关控制、车身控制模块（BCM）中的负载开关； ✅ 工业电源：服务器/通信设备的热插拔保护电路、OR-ing 二极管替代方案（提升效率）、大功率电机驱动的上/下桥臂开关； ✅ 消费类与嵌入式系统：高端 UPS、储能系统（ESS）的电池保护电路（如充放电主回路开关）、高亮度 LED 驱动电源的 PWM 开关级。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 典型值 2.0 V），可直接由 MCU 或 FPGA GPIO 控制，无需额外驱动电路；内置 ESD 保护与无铅 RoHS 合规，满足汽车级 AEC-Q101 认证，具备高可靠性与温度稳定性（工作结温 -55°C 至 175°C）。 综上，BUK961R4-30E,118 主要面向对效率、功率密度和鲁棒性要求严苛的中低压大电流开关应用，尤其在汽车与工业领域具有显著优势。（字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 120A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK961R4-30E,118 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 16150pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 113nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.4 毫欧 @ 25A，5V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9568-6 |
| 功率-最大值 | 357W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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