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  • 型号: BUK954R2-55B,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK954R2-55B,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK954R2-55B,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK954R2-55B,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK954R2-55B,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK954R2-55B,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK954R2-55B,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有极低导通电阻(RDS(on) ≤ 4.2 mΩ @ VGS = 10 V,典型值;≤ 5.5 mΩ @ VGS = 4.5 V),额定漏源电压 VDS = 55 V,连续漏极电流 ID 高达 120 A(Tc = 25°C),具备雪崩耐量和 robust 的短路耐受能力。

该器件主要面向中高功率、高效率的直流开关应用,典型应用场景包括:  
✅ 汽车电子:车身控制模块(BCM)中的电机驱动(如车窗升降、座椅调节、雨刮器)、LED 大灯调光/开关、DC-DC 转换器(如 12V→5V/3.3V 辅助电源)、启停系统负载开关;  
✅ 工业控制:PLC 输出驱动、继电器替代、直流电机正反转控制、电磁阀/螺线管驱动、UPS 和储能系统中的电池保护与充放电开关;  
✅ 消费与电源设备:大功率适配器次级同步整流(需配合控制器)、电动工具电池管理单元(BMS)主回路开关、智能家电(如变频空调、洗衣机驱动板)的功率级开关。

其逻辑电平驱动特性(可直接由 MCU 的 3.3V/5V GPIO 驱动,无需额外电平转换或驱动IC)及低热阻封装,使其在空间受限、能效敏感且需高可靠性的嵌入式功率应用中广受青睐。符合 AEC-Q101 汽车级认证,支持严苛车载环境(-40°C ~ +175°C 结温)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 55V 75A TO220ABMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

191 A

Id-连续漏极电流

191 A

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK954R2-55B,127TrenchMOS™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

BUK954R2-55B,127

Pd-PowerDissipation

300 W

Pd-功率耗散

300 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

3.7 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

3.7 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

55 V

Vds-漏源极击穿电压

55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 15 V

Vgs-栅源极击穿电压

15 V

上升时间

232 ns

下降时间

178 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10220pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

95nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.7 毫欧 @ 25A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-6635
568-6635-5
568-6635-ND
934057092127
BUK954R2-55B
BUK954R2-55B,127-ND
BUK954R2-55B-ND
BUK954R255B127

典型关闭延迟时间

273 ns

功率-最大值

300W

包装

管件

商标

NXP Semiconductors

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

导通电阻

3.7 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

汲极/源极击穿电压

55 V

漏极连续电流

191 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

75A (Tmb)

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

BUK954R2-55B

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