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  • 型号: BUK952R3-40E,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK952R3-40E,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK952R3-40E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK952R3-40E,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK952R3-40E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK952R3-40E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK952R3-40E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有极低导通电阻(RDS(on) ≤ 2.3 mΩ @ VGS = 10 V)、40 V 耐压及高达 120 A 的脉冲电流能力。其典型应用场景包括:

- 汽车电子系统:广泛用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗电机驱动、LED 大灯调光与开关、雨刷/风扇控制等 12 V/24 V 直流负载的高效率开关;符合 AEC-Q101 可靠性标准,支持严苛车载环境。

- 工业电源与负载开关:适用于 DC-DC 二次侧同步整流、热插拔电路、冗余电源 OR-ing、可编程电源输出级及大电流固态继电器(SSR),凭借低 RDS(on) 减小功耗与温升。

- 电动工具与电池供电设备:在无刷直流(BLDC)电机控制器中用作相桥臂下管或电池保护开关,支持高频率 PWM 驱动与快速开关(trise/tfall 约 10–20 ns),提升能效与响应速度。

- 服务器与通信设备电源管理:用于 48 V 输入分布式电源的 POL(负载点)转换器、VRM 输出开关及板级电源排序/使能控制。

该器件集成栅极ESD保护,具备强抗雪崩能力(UIS rated),并支持逻辑电平驱动(VGS(th) 低至 1.0–2.1 V),可直接由 MCU 或 FPGA IO 控制,简化外围设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK952R3-40E,127

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

13160pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

87.8nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.2 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-9861-5
934066419127
BUK952R340E127

功率-最大值

293W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Ta)

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