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  • 型号: BUK951R9-40E,127
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BUK951R9-40E,127由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK951R9-40E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK951R9-40E,127封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK951R9-40E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK951R9-40E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

BUK951R9-40E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET,采用 TO-220AB 封装,具有极低导通电阻(RDS(on) ≤ 1.9 mΩ @ VGS = 10 V)、40 V 耐压及高达 120 A 的脉冲漏极电流能力。其典型应用场景包括:  
1. 汽车电子系统:广泛用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗电机驱动、LED 大灯调光与开关、雨刷/风扇控制等 12 V/24 V 低压直流负载开关;符合 AEC-Q101 汽车级可靠性标准,支持严苛温度(–55°C 至 +175°C)与高振动环境。  
2. 工业电源与负载管理:适用于高效率 DC-DC 二次侧同步整流、热插拔保护电路、电源分配单元(PDU)中的电子保险丝(eFuse)及大电流固态继电器(SSR)。  
3. 电动工具与电池供电设备:作为主功率开关,驱动无刷直流(BLDC)电机或有刷电机,得益于低 RDS(on) 和快速开关特性,可显著降低导通损耗与温升,延长电池续航。  
4. 服务器/通信电源:用于 48 V 输入电源的 POL(负载点)转换器中,实现高效、紧凑的电压调节。  

该器件集成稳健的雪崩能量耐受能力(EAS = 520 mJ),具备过温/过流保护兼容性,适合高可靠性、高功率密度的中低压开关应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

BUK951R9-40E,127

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchMOS™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

16400pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

120nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1.7 毫欧 @ 25A,10V

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

568-9860-5
934066521127
BUK951R940E127

功率-最大值

349W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

120A (Ta)

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