Datasheet下载- 型号： BUK7Y54-75B,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7Y54-75B,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7Y54-75B,115价格参考。NXP SemiconductorsBUK7Y54-75B,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7Y54-75B,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7Y54-75B,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7Y54-75B,115 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-263（D²PAK）封装，额定漏源电压VDS = 75 V，连续漏极电流ID（TC=25°C）达54 A，导通电阻RDS(on)典型值仅12.5 mΩ（VGS=10 V），具备低开关损耗与良好热性能。 该器件主要应用于中高功率、中压直流控制场景，典型包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的座椅加热、车窗升降、雨刮电机驱动；LED前照灯/尾灯调光与开关；12 V/24 V车载电源负载开关（如保险丝替代方案）；符合AEC-Q101汽车级可靠性标准。 ✅ 工业控制：PLC输出模块、继电器替代、DC电机正反转驱动（如小型风机、泵）、开关电源次级侧同步整流或负载开关。 ✅ 消费与电源应用：大电流USB PD可编程电源输出开关、电池管理系统（BMS）中的充放电主回路保护开关、LED驱动恒流源的PWM调光开关。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th)低至1–2.5 V，10 V完全导通）便于直接由MCU（如ARM Cortex-M系列）或ASIC驱动，无需额外栅极驱动器，简化设计并提升系统能效。内置ESD保护与雪崩耐量（EAS = 380 mJ），增强了在感性负载切换等瞬态工况下的鲁棒性。 综上，该MOSFET适用于对效率、可靠性及空间受限要求较高的中功率汽车与工业直流开关应用。（字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 21.4A LFPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7Y54-75B,115 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 803pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 54 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-5521-1 |
| 功率-最大值 | 59W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21.4A （Tc） |
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