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Datasheet下载- 型号： BUK7E07-55B,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK7E07-55B,127产品简介：
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BUK7E07-55B,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有 55V 漏源耐压（VDS）、75A 脉冲电流（ID,pulse）、典型导通电阻 RDS(on) 仅 7.5 mΩ（VGS = 10 V），且支持低至 4.5 V 的逻辑电平驱动，具备快速开关特性与内置 ESD 保护。 该器件主要应用于中高功率、中低压直流控制场景，典型包括： ✅ 汽车电子：车身控制模块（BCM）中的车灯（前照灯、尾灯、氛围灯）开关、雨刮电机、座椅调节电机、风扇/水泵驱动等（符合 AEC-Q101 认证，具备高可靠性与温度鲁棒性）； ✅ 工业控制：PLC 输出模块、继电器替代、DC-DC 同步整流、电机启停控制、电源负载开关； ✅ 消费与家电：智能家电（如洗衣机、空调压缩机辅助驱动、电磁阀控制）、电动工具电池保护电路、LED 驱动调光开关； ✅ 电源管理：服务器/通信设备的热插拔（Hot-swap）保护、电源 OR-ing、负载切换及反向电流阻断。 其低 RDS(on) 和逻辑电平兼容性显著降低驱动功耗与外围电路复杂度，适合空间受限、需高效热管理的应用。注意：实际设计中需合理匹配栅极驱动、PCB 散热及过流/过温保护措施。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 55V I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7E07-55B,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3760pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7.1 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-5722 |
| 功率-最大值 | 203W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
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