Datasheet下载- 型号： BUK7E04-40A,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7E04-40A,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7E04-40A,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7E04-40A,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7E04-40A,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7E04-40A,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7E04-40A,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单个封装），采用 TO-220AB 封装，具有 40 V 漏源电压（VDS）、最大 60 A 连续漏极电流（ID，TC=25°C）及典型导通电阻 RDS(on) 仅 4.0 mΩ（VGS=10 V），支持低至 4.5 V 的逻辑电平驱动，兼容 3.3 V/5 V 微控制器直接驱动。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子：如车身控制模块（BCM）中的车灯（前照灯、尾灯、LED 日间行车灯）开关、雨刷电机驱动、座椅/车窗电机控制等；符合 AEC-Q101 可靠性标准，适用于严苛车载环境。 ✅ 工业电源与负载开关：用于 DC-DC 转换器次级侧同步整流、热插拔电路、电源分配单元（PDU）中的过流保护与软启动控制。 ✅ 消费类设备：大功率便携式设备（如电动工具、无人机电调前端、智能家电电机驱动）中的高效、低发热负载开关。 ✅ 电池管理系统（BMS）：作为充放电回路的主控开关或电池保护电路中的高效率通断器件。 该器件具备低开关损耗、强雪崩耐受能力（UIS rated）及优化的栅极电荷（Qg≈45 nC），适合中高频（≤100 kHz）PWM 控制场景，兼顾效率与可靠性。需注意合理设计散热（TO-220 需配散热器）及驱动电路以抑制振铃与米勒效应。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH 40V I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK7E04-40A,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5730pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 117nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-9744-5 |
| 功率-最大值 | 300W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
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