图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： BUK761R6-40E,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK761R6-40E,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK761R6-40E,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK761R6-40E,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK761R6-40E,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK761R6-40E,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK761R6-40E,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 1.6 mΩ @ VGS = 10 V）、40 V 耐压、连续漏极电流高达 120 A（Tc = 25°C），并具备雪崩耐量与过温保护特性。 其典型应用场景包括： 🔹 汽车电子：用于车身控制模块（BCM）中的座椅加热、车窗升降、雨刮器、风扇驱动等中高功率负载开关；符合 AEC-Q101 认证，满足车载严苛环境要求。 🔹 工业电源与电机控制：适用于 DC-DC 同步整流、电动工具驱动、小型直流电机（如 24–36 V 系统）的 H 桥/半桥开关，凭借低 RDS(on) 提升能效并减少散热设计压力。 🔹 服务器/通信电源：作为 OR-ing FET 或热插拔电路中的主开关，支持高电流、低损耗的电源路径管理。 🔹 电池管理系统（BMS）：用于电池保护板中的充放电主回路控制，配合保护 IC 实现过流/短路快速关断。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1.0–2.0 V），可直接由 MCU 或驱动器控制，简化外围电路；内置体二极管具备快恢复特性，适用于续流场景。综合其高可靠性、强鲁棒性及车规级资质，主要面向对安全性、效率和长期稳定性要求较高的中大功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK761R6-40E,118 |
| PCN组件/产地 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11340pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 145nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9565-6 |
| 功率-最大值 | 357W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
BUK761R6-40E,118 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商