Datasheet下载- 型号： BUK751R6-30E,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK751R6-30E,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK751R6-30E,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK751R6-30E,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK751R6-30E,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK751R6-30E,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK751R6-30E,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET（单管），采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≤ 1.6 mΩ @ VGS = 10 V）、30 V 耐压和高达 120 A 的脉冲漏极电流能力。其主要应用场景包括： - 汽车电子系统：广泛用于车身控制模块（BCM）、车灯驱动（如 LED 大灯、尾灯开关）、电机控制（雨刮、座椅调节、风扇调速）及电池管理系统（BMS）中的高侧/低侧开关，符合 AEC-Q101 可靠性认证，满足严苛车载环境要求。 - 工业电源与负载开关：适用于 DC-DC 电源的同步整流、热插拔电路、电源分配单元（PDU）及大电流负载开关，凭借低 RDS(on) 实现高效能与低功耗发热。 - 电动工具与家电：在无刷直流（BLDC）电机驱动、电池供电工具（如电钻、割草机）的功率级中作为主开关器件；亦用于高端家电（如变频空调、洗衣机驱动板）的功率输出级。 - 服务器/通信设备电源管理：用于 12 V 输入配电、POL（Point-of-Load）转换器的后级开关或 OR-ing 二极管替代方案，提升效率与可靠性。 该器件支持逻辑电平驱动（VGS(th) 低至 1–2.5 V），可直接由 MCU 或 FPGA 控制，简化驱动设计；内置 ESD 保护与雪崩耐受能力进一步增强系统鲁棒性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK751R6-30E,127 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 11960pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 154nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-9837-5 |
| 功率-最大值 | 349W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Ta） |
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