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产品简介:
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BUK6E3R4-40C,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET,采用 LFPAK56(Power-SO8)封装,具有低导通电阻(Rds(on) 典型值仅 3.4 mΩ @ Vgs = 10 V)、40 V 耐压、连续漏极电流达 100 A(Tc = 25°C),并具备优异的热性能与雪崩耐量。 该器件主要面向高效率、高功率密度的中低压直流开关应用,典型应用场景包括: ✅ 汽车电子:车载电源管理(如车身控制模块BCM中的负载开关、LED车灯驱动、电动座椅/车窗电机驱动)、12 V/24 V 电池供电系统的智能高边/低边开关; ✅ 工业电源与电机控制:DC-DC 降压转换器(Buck)同步整流管、无刷直流(BLDC)电机驱动的半桥下管、伺服驱动器功率级; ✅ 消费类与计算设备:服务器/通信设备中的热插拔保护电路、大电流 POL(Point-of-Load)稳压器、固态继电器(SSR)及电子保险丝(eFuse); ✅ 可再生能源接口:太阳能优化器、储能系统(ESS)中的电池保护与充放电开关。 其逻辑电平驱动特性(Vgs(th) 低至 1–2.5 V)支持直接由 MCU 或 FPGA 的 3.3 V/5 V GPIO 控制,简化驱动设计;LFPAK 封装兼具小尺寸与强散热能力,适合紧凑型 PCB 布局。需注意在大电流应用中合理设计PCB铜箔散热及栅极驱动(避免振荡与过冲)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | BUK6E3R4-40C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8020pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 125nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 毫欧 @ 25A,10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 568-7506-5 |
| 功率-最大值 | 204W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3,长引线,I²Pak,TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tmb) |