Datasheet下载- 型号： BUK652R1-30C,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK652R1-30C,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK652R1-30C,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK652R1-30C,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK652R1-30C,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK652R1-30C,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK652R1-30C,127 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道逻辑电平增强型 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有极低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 2.1 mΩ @ VGS = 10 V）、30 V 耐压及高达 120 A 的脉冲电流能力。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、负载开关及POL（Point-of-Load）模块，显著降低导通损耗，提升能效。 - 电机驱动与控制：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动器中的H桥高边/低边开关，支持快速开关（tf/tr 约 20 ns），满足PWM高频调速需求。 - 电池管理系统（BMS）：作为电池保护电路中的充放电主控开关或过流/短路保护开关，凭借低RDS(on)减少发热，延长电池续航并提升系统可靠性。 - LED照明驱动：用于大功率LED恒流驱动的调光开关或热插拔保护电路，支持宽范围PWM调光且温升低。 - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准（该型号为工业级，但同系列衍生品常用于车载），可用于车身控制模块（BCM）、座椅调节、车窗升降等12 V系统负载开关。 其逻辑电平兼容性（VGS(th) 1–2.5 V）便于直接由MCU（如ARM Cortex-M系列）IO口驱动，无需额外栅极驱动芯片，简化设计并降低成本。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | BUK652R1-30C,127 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10918pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 168nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 25A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7491-5 |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tmb） |
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